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Descripción resumida

Samsung MZ-V7P512. SDD, capacidad: 512 GB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 3500 MB/s, Velocidad de escritura: 2300 MB/s, Componente para: PC

Ref. Fabricante: MZ-V7P512BW
Acorde RoHS: Si
Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES
Altura: 22,1 mm
Ancho: 80,2 mm
Carriles datos de interfaz PCI Express: x4
Color del producto: Negro
Componente para: PC
Consumo de energía (escritura): 5,2 W
Consumo de energía (lectura): 5,2 W
Consumo de potencia DevSlp (modo sueño): 5 mW
Factor de forma de disco SSD: M.2
Fecha de lanzamiento: 4/16/2018
Golpe (fuera de operación): 1500 G
Golpes en funcionamiento: 1500 G
Interfaz: PCI Express 3.0
Intervalo de humedad relativa durante almacenaje: 5 - 95%
Intervalo de humedad relativa para funcionamiento: 5 - 95%
Intervalo de temperatura de almacenaje: -45 - 85 °C
Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C
NVMe: Si
Opal SSC 2.0: Si
Profundidad: 2,38 mm
SDD, capacidad: 512 GB
Soporte S.M.A.R.T.: Si
Soporte TRIM: Si
TCG Opal 2.0: Si
Tiempo medio entre fallos: 1500000 h
Tipo de controlador: Samsung Phoenix
Tipo de flash NAND: MLC (Multi Level Cell)
Tipo de memoria: V-NAND MLC
Velocidad de escritura: 2300 MB/s
Velocidad de lectura: 3500 MB/s
Versión NVMe: 1.3
Vibración no operativa: 20 G
Voltaje de operación: 3,3 V