Samsung 990 EVO. SDD, capacidad: 1 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 5000 MB/s, Velocidad de escritura: 4200 MB/s, Componente para: Universal
Ref. Fabricante: MZ-V9E1T0BW
Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES
Altura: 2,38 mm
Ancho: 80,2 mm
calificación TBW: 600
Carriles datos de interfaz PCI Express: x4
Componente para: Universal
Consumo de energía (escritura): 4,5 W
Consumo de energía (espera): 0,06 W
Consumo de energía (lectura): 4,9 W
Consumo energético (en suspensión): 0,005 W
Encriptación de hardware: Si
Factor de forma de disco SSD: M.2
Golpe (fuera de operación): 1500 G
Interfaz: PCI Express 4.0
Intervalo de humedad relativa durante almacenaje: 5 - 95%
Intervalo de humedad relativa para funcionamiento: 5 - 95%
Intervalo de temperatura de almacenaje: -40 - 85 °C
Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C
NVMe: Si
Periodo de garantía: 5 año(s)
Peso: 9 g
Profundidad: 22,1 mm
Revisión PCI Express CEM: 4.0
SDD, capacidad: 1 TB
Soporte S.M.A.R.T.: Si
Soporte TRIM: Si
Tamaño de la unidad SSD M.2: 2280 (22 x 80 mm)
Tiempo medio entre fallos: 1500000 h
Tipo de embalaje: Caja
Tipo de memoria: V-NAND TLC
Velocidad de escritura: 4200 MB/s
Velocidad de lectura: 5000 MB/s
Versión NVMe: 2.0
Vibración no operativa: 20 G
Voltaje de operación: 3,3 V
