Samsung MZ-VAP1T0. SDD, capacidad: 1 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 14700 MB/s, Velocidad de escritura: 13300 MB/s, Componente para: PC/ordenador portátil
Ref. Fabricante: MZ-VAP1T0BW
Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES
Altura: 22,1 mm
Ancho: 80,2 mm
Componente para: PC/ordenador portátil
Consumo eléctrico promedio (escritura): 7,2 W
Consumo eléctrico promedio (lectura): 7,6 W
Encriptación de hardware: Si
Escritura aleatoria (4KB): 2600000 IOPS
Factor de forma de disco SSD: M.2
Golpes en funcionamiento: 1500 G
Interfaz: PCI Express 5.0
Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C
Lectura aleatoria (4KB): 1850000 IOPS
NVMe: Si
Operating voltage: 3.3 V
Peso: 9 g
Profundidad: 2,38 mm
SDD, capacidad: 1 TB
Soporte S.M.A.R.T.: Si
Soporte TRIM: Si
Tiempo medio entre fallos: 1500000 h
Tipo de embalaje: Caja
Tipo de memoria: V-NAND TLC
Velocidad de escritura: 13300 MB/s
Velocidad de lectura: 14700 MB/s
